Dettagli:
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Materiale di base: | Serie di PTFE F4B | Conteggio di strato: | 1 strato, 2 strati, tipo a più strati e ibrido |
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Spessore del PWB: | 0.17mm, 0.25mm, 0.5mm, 0.8mm, 1.0mm, 1.5mm, 2.0mm, 3.0mm, 4.0mm e 5.0mm, ecc. | Dimensione del PWB: | ≤400mm X 500mm |
Peso di rame: | 0.5oz, 1oz, 2oz, 3oz | Finitura superficia: | Rame nudo, HASL, ENIG, latta ecc. di immersione. |
Evidenziare: | 3oz PWB del rame F4B,PWB DI PTFE F4B,3oz PWB del rame PTFE |
Il PWB ad alta frequenza di strato doppio ha costruito su 1.5mm PTFE (teflon) con rame 3oz e l'oro di immersione
(PWB sono prodotti su ordine, l'immagine ed i parametri indicati sono appena per riferimento)
Ciao tutti,
Oggi parliamo di un tipo di circuito ad alta frequenza di F4B.
Il materiale ad alta frequenza di serie di F4B è pricipalmente panno della fibra di vetro di PTFE e di panno ripieno di ceramica ecc. della fibra di vetro di PTFE. È una serie di materiali ad alta frequenza della marca cinese, che è economica nel prezzo ed in stalla nella qualità. Ampiamente si applica al radar, navigazione, telecomunicazione via satellite, 4G comunicazioni, comunicazioni 5G e simili.
Specifiche del PWB | |
Conteggio di strato: | Il doppio ha parteggiato |
Materiale di base: | F4B DK 2,65 |
Dimensione: | 210 x 115mm |
Spessore finito | 1.6mm ±10% |
Peso di rame finito: | 3oz |
SMOBC: | Nessun |
Finitura superficia: | Oro di immersione |
Le specifiche principali di questo bordo sono doppio bordo parteggiato, il substrato è lungamente F4B, dk a 2,65, 210mm da 115mm ampio, 1.6mm ha finito 3oz di rame spesso e finito, nessuna maschera della lega per saldatura nessun silkscreen e la finitura superficia è oro di immersione.
Vediamo la pila su.
Lo strato superiore e lo strato inferiore sono rame 3oz hanno finito. Il materiale dielettrico di F4b è in mezzo a 2 strati di rame, mostrando la costante dielettrica a 2,65.
Dalla foto di questo bordo, la pista è più spessa del i bordi normale; la finitura superficia è oro di immersione e nessun maschera e silkscreen della lega per saldatura.
Capacità del PWB | |
Materiale del PWB: | PTFE |
Codice: | Serie di F4B |
Costante dielettrica: | 2,2, 2,55 e 2,65 |
2,17, 2,45, 2,75 e 3,0 | |
Conteggio di strato: | 1 strato, 2 strati, tipo a più strati e ibrido |
Peso di rame: | 0.5oz, 1oz, 2oz, 3oz |
Spessore del PWB: | 0.17mm, 0.25mm, 0.5mm, 0.8mm, 1.0mm, |
1.5mm, 2.0mm, 3.0mm, 4.0mm e 5.0mm, ecc. | |
Dimensione del PWB: | ≤400mm X 500mm |
Finitura superficia: | Rame nudo, HASL, ENIG, latta ecc. di immersione. |
La costante dielettrica del materiale di F4B è un ampio, bordo che di gamma 2,2 - 3,0 ecc. lo spessore varia 0.17mm - 5.0mm. Possiamo fornirgli servizio del prototipo, i piccoli lotti ed il servizio di fabbricazione in serie.
Se avete tutte le domande, senta libero prego per contattarci.
Grazie per la vostra lettura.
Appendice: Scheda di dati di PTFE (F4B)
Nome | Condizione di prova | Unità | Valore | |||
Densità | Stato normale | g/ cm3 | 2.1~2.35 | |||
Assorbimento dell'umidità | Immersione nell'acqua distillata di 20±2℃ per 24 ore | % | ≤0.02 | |||
Temperatura di funzionamento | Camera massima minima di temperatura | ℃ | -50℃~+260℃ | |||
Conducibilità termica | W/m/k | 0,8 | ||||
CTE (tipico) | 0~100℃ (εr: 2.1~2.3) | ppm/℃ | 25 (x) | |||
34 (y) | ||||||
252 (z) | ||||||
CTE (tipico) | 0~100℃ (εr: 2.3~2.9) | ppm/℃ | 14 (x) | |||
21 (y) | ||||||
173 (z) | ||||||
CTE (tipico) | 0~100℃ (εr: 2.9~3.5) | ppm/℃ | 12 (x) | |||
15 (y) | ||||||
95 (z) | ||||||
Fattore di restringimento | 2 ore in acqua bollente | % | 0,0002 | |||
Resistività di superficie | CC 500V | Stato normale | M. ·Ω | ≥1×104 | ||
Umidità e temperatura costanti | ≥1×103 | |||||
Resistività di volume | Stato normale | MΩ.cm | ≥1×106 | |||
Umidità e temperatura costanti | ≥1×105 | |||||
Pin Resistance | CC 500V | Stato normale | MΩ | ≥1×105 | ||
Umidità e temperatura costanti | ≥1×103 | |||||
Resistenza dielettrica di superficie | Stato normale | d=1mm (Kv/mm) | ≥1.2 | |||
Umidità e temperatura costanti | ≥1.1 | |||||
Costante dielettrica | 10GHZ | εr | 2,20, 2,55, 2,65, 3,0, 3,5 (±2%) | |||
Fattore di dissipazione | 10GHZ | tgδ | 2,2 | ≤7×10-4 | ||
2.55~2.65 | ≤1×10-3 | |||||
3.0~3.5 | ≤1.5×10-3 |
Persona di contatto: Ms. Ivy Deng
Telefono: 86-755-27374946
Fax: 86-755-27374848